Elektronik Cihazların Hızında Sıçrama Yaratacak Bileşik Keşfedildi

Hard diskler farklı tabakalardan oluşan filigran yapısındadır. Manyetorezistans olarak bilinen bu fenomen sayesinde yüksek elektrik direnç elde edilerek, yüksek yoğunlukta veri yani daha büyük depolama alanı elde edilebilir. Küçük miktarda elektrik nedeniyle, Lorentz kuvveti nedeniyle, elektronlar yanlış yönde akarak, eletrik direnci arttırır ve manyetik olarak istenilen konumdaki veriyi, kesin bir şekilde okumayı sağlar. “Materyal üzerinde daha hızlı elektron hareketi sağlanarak, daha büyük Lorentz kuvveti dolayısıyla daha manyetik alan etkisi elde edilir,” diyor baş yazar Binghai Yan. Niobyum fosfitteki elektronlar çok hızlı hareket ediyorlar. Niobyum fosfit süper hızlı yüksek taşıyıcılar içeriyor. Yani rölativistik elektronlar içeriyor, yani ışık hızının binde biri hızında (300 km/saniye) bir hıza ulaşıyor. İşte muazzam hız sayesinde direnç 10,000 kat artıyor. Araştırmalar niobyum fosfitin geleceğin bilgi teknolojileri için çok büyük bir potansiyel içerdiğini, sadece hard disklerde değil, manyetorezistans prensibi kullanan diğer elektronik bileşenlerde kullanılacağını belirtiyor. Araştırma Nature Physics’de yayınlandı.

Kaynaklar
http://www.gercekbilim.com/elektroniklerin-hizinda-artis-yapacak-bilesik/
https://www.hzdr.de/db/Cms?pOid=44906&pNid=3438